英特尔一位董事提出★ღღ，未来晶体管设计（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造对先进光刻设备（尤其是EUV光刻机）的依赖★ღღ。

　　目前★ღღ，ASML的极紫外（EUV）光刻机是制造高端芯片（如7nm及以下节点）的关键设备★ღღ，它负责将极其微小的电路设计“打印”到硅晶圆上农家福女温暖全本免费阅读★ღღ。

　　然而龙8 - long8 (国际)唯一官方网站★ღღ，该董事认为★ღღ，像环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）这样的新型设计农家福女温暖全本免费阅读农家福女温暖全本免费阅读★ღღ，将显著增加光刻之后制造步骤（特别是刻蚀技术）的重要性★ღღ，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位农家福女温暖全本免费阅读龙8 - long8 (国际)唯一官方网站★ღღ。

　　芯片制造流程始于光刻将设计图案转移到晶圆表面★ღღ。随后通过沉积添加材料★ღღ，并通过刻蚀选择性地去除材料龙8 - long8 (国际)唯一官方网站龙8 - long8 (国际)唯一官方网站★ღღ，最终形成晶体管和电路结构农家福女温暖全本免费阅读★ღღ。

　　新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）龙8 - long8 (国际)唯一官方网站★ღღ。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀提出了更高要求★ღღ。为了从各个方向“包裹”栅极或创建堆叠结构★ღღ，芯片制造商需要更精细地龙8 - long8 (国际)唯一官方网站★ღღ、特别是横向地去除晶圆上的多余材料★ღღ。

　　因此农家福女温暖全本免费阅读★ღღ，该董事指出★ღღ，未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸★ღღ，转向更复杂★ღღ、更关键的刻蚀工艺★ღღ，以确保这些新型三维晶体管结构的精确成型★ღღ。这预示着芯片制造技术路线可能迎来重大转变★ღღ。龙八国际娱乐官方网站★ღღ，龙8国际唯一官方网站登录★ღღ！龙8唯一官网★ღღ，